|
В 1907 году английский инженер Х. Д. Раунд, трудившийся во всемирно известной лаборатории Маркони, случайно заметил, что у работающего детектора вокруг точечного контакта возникает свечение.
В 20-е годы ХХ века, Олег Владимирович Лосев, в Нижегородской радиолаборатории (НРЛ), исследовал явление излучательной рекомбинация и наблюдал свечение кристаллов карборунда (карбид кремния SiC). О. В. Лосев обессмертил свое имя этим открытием, он первый в мире показал электролюминесценцию полупроводников, т. е. испускание ими света при протекании электрического тока.
В 30-е годы профессором МГУ Г. С. Ждановым, опубликована первая научная статья о кристаллах нитрида галлия.
В 1951 году центр по разработке «полупроводниковых лампочек», действующих на основе «эффекта Лосева», был создан в Америке, где его возглавил К. Леховец.
В 1962 году первые, имеющие промышленное значение светодиоды были созданы в лабораториях Иллинойского Университета на основе структур GaAsP/GaP Ником Холоньяком (США).
В 1968году — первая светодиодная лампочка для индикатора Monsanto. В 60-е годы были созданы светодиоды из GaP c красным и желто-зеленым свечением. Внешний квантовый выход (отношение числа излученных светодиодом фотонов к общему числу перенесенных через p-n-переход элементарных зарядов) был не более 0,1%. Длина волны излучения этих приборов находилась в пределах 500-600 нм — области наивысшей чувствительности человеческого глаза, — поэтому яркость их желто-зеленого излучения была достаточной для целей индикации. Световая отдача светодиодов при этом составляла приблизительно 1-2 Лм/Вт.
В 1968 году в США появился первый рекламный светодиодный экран, от Hewlett-Packard, и представлял собой дисплей со слабым световым потоком и только красным цветом.
В августе 2006 в США придорожных электронный было минимум 200, но за последний год количество электронных «биллбордов» в США удвоилось, что привело к значительному толчку во всех аспектах индустрии (производстве, управлении и медиа закупки).
В 70-е годы ХХ века совершенствование светодиодов проходило по двум направлениям — увеличение внешнего квантового выхода и расширение спектра излучения.
В 70-е годы Ж. И. Алферов (лауреат Ленинской премии), с сотрудниками, разработал так называемые многопроходные двойные гетероструктуры, позволившие значительно увеличить внешний квантовый выход за счет ограничения активной области рекомбинации. Были предложены и практически изготовлены гетероструктуры, сначала на основе GaAs и его твердых растворов типа AlGaAs, а затем и на основе других полупроводниковых соединений, при этом был, достигнут внешний квантовый выход до 15% для красной части спектра (световая отдача до 10 Лм/Вт) и более 30% — для инфракрасной. Показателен факт присуждения Жоресу Ивановичу Алферову Нобелевской премии в 2000 году, когда стали очевидными важность и огромное значение его работ для развития науки и техники.
В 70-х годах группа Дж. Панкова из лаборатории компании IBM (J. Pankove, RCA, Princetone, USA) создала фиолетовые и голубые диоды на основе эпитаксиальных пленок GaN, но срок их службы был очень ограничен.
В 1976 году компания Hewlett Packard разработала светодиоды на основе фосфидов алюминия-галлия-индия которые излучали красно-оранжевый, желтый и желто-зеленый свет.
В начале 80-х годов Г. В. Сапарин и М. В. Чукичев в МГУ им. М.
В. Ломоносова обнаружили, что после действия электронного пучка образец GaN, легированный Zn, локально становится ярким люминофором. Но причину яркого свечения под влиянием пучка электронов — тогда понять не удалось.
С 1985 года световой поток светодиодов увеличился до 1-100 лм, и они уже стали применяться в качестве отдельных световых элементов, таких, например, как лампы в автомобилях.
|
